| 晶体硅 |
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| 高效晶体硅 |
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| 母公司 | 国晟能源 |
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国晟世安科技股份有限公司
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江苏省徐州市贾汪区徐州工业园区
中国大陆
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员工信息
有用联系人
Admin
Carl Lee
Tommy Wu
公司描述
国晟能源专注于异质结电池、组件生产及上下游产业链项目投资和运营，拥有业内顶尖的专业研发团队以及先进的技术路线，是国内新能源产业的领先企业。
目前，公司已建成江苏徐州、安徽淮北、淮南、宿州、河北张家口五大生产基地，正加速建设山东莱州、新疆若羌、河北唐山、内蒙古乌拉特前旗基地。
公司计划打造千亿市值产业链集群，规划建设硅料、拉晶、超薄N型硅片、高效异质结电池、大尺寸组件、钠离子储能等项目，开发高效风光储一体化电站。同时投资BIPV、源网荷储微电网项目，打造新一代光伏生态产业链，致力成为新能源行业的领跑者！
2023年9月份完成对上市企业国晟世安科技股份有限公司（原“乾景园林”股票603778）控股，国晟能源以全新的平台开启生态治理和新型能源“双主业”的投资道路。
发展历程：
2022年1月，国晟能源正式成立
2022年6月，淮北基地组件工厂正式投产
2023年3月，贾汪基地组件工厂正式投产
2023年7月，贾汪基地电池工厂正式投产
2023年9月，淮南基地组件工厂正式投产
2023年9月，完成对上市企业国晟世安控股
2023年11月，上市企业公司名称由“北京乾景园林股份有限公司”变更为“国晟世安科技股份有限公司”
业务详情
产品
GrandSunergy —— Technology Re-Builds the Future
Research Institute
Cell Research Team
Focus on HJT cell efficiency, material, and the path to lower cost and enhance efficiency
Module Research Team
Focus on HJT module production technique and quality improvement
Material Research Team
Focus on the development and application of HJT's new material and the cost reduction of material
Perovskite Research Team
Development of Perovskite/HJT cell lamination technology
Application Research Team
Focus on module products, and develop new PV application products and scenarios
Equipment Research Team
Focus on the production equipment of HJT technology, R&D together with equipment manufacturer
Technology Advancements of HJT Modules
Higher Bifaciality / 85%+ bifaciality
Temperature Coefficient / -0.26%/℃
NO PID NO LID / high reliability
Weak Light Performances / high energy yield
LCOE / best LCOE
Low Degradation / low degradation rate
Project Case
产品
光伏组件
-
GSM-MH3/132-BH...
700 ~ 720 Wp 双面，异质结 (HJT) -
GSM-MP3/132-BM...
650 ~ 670 Wp 双面，背钝化 (PERC) -
GSM-MP3/120-M5...
590 ~ 610 Wp 单晶硅 -
GSM-MP3/132-M6...
650 ~ 670 Wp 单晶硅 -
GSM-MH3/120-BH...
630 ~ 650 Wp 双面，异质结 (HJT) -
GSM-MP3/120-BM...
590 ~ 610 Wp 双面，背钝化 (PERC) -
GSM-MP4/144-BM...
530 ~ 550 Wp 双面，背钝化 (PERC) -
GSM-MP4/132-BM...
485 ~ 505 Wp 双面，背钝化 (PERC) -
GSM-MP4/120-BM...
440 ~ 460 Wp 双面，背钝化 (PERC) -
GSM-MP4/108-BM...
395 ~ 415 Wp 双面，背钝化 (PERC) -
GSM-MH4/108- H...
410 ~ 430 Wp 异质结 (HJT)，背钝化 (PERC) -
GSM-MH4/108-BH...
420 ~ 440 Wp 异质结 (HJT)，背钝化 (PERC) -
GSM-MH4/120-BH...
480 ~ 500 Wp 异质结 (HJT)，背钝化 (PERC) -
GSM-MH4/132-BH...
530 ~ 550 Wp 异质结 (HJT)，背钝化 (PERC) -
GSM-MH4/144-BH...
580 ~ 600 Wp 异质结 (HJT)，背钝化 (PERC) -
GSM-MT4/108-TD...
410 ~ 430 Wp 背钝化 (PERC) -
GSM-MP4/156-M5...
580 ~ 600 Wp 背钝化 (PERC)，单晶硅 -
GSM-MP4/108-M3...
395 ~ 415 Wp 背钝化 (PERC)，单晶硅 -
GSM-MP4/144-M5...
530 ~ 550 Wp 背钝化 (PERC)，单晶硅 -
GSM-MP4/132-M4...
485 ~ 505 Wp 背钝化 (PERC)，单晶硅 -
GSM-MP4/120-M4...
440 ~ 460 Wp 背钝化 (PERC)，单晶硅 -
GSM-MT4/108-BT...
410 ~ 430 Wp TOPCon -
GSM-MT4/144-BT...
560 ~ 580 Wp TOPCon
最后更新：
2023年11月21日