保利协鑫发布第二代单晶硅片产品“鑫单晶G2”

发布于 2013年12月27日
协鑫科技控股有限公司 
2013年12月22日,保利协鑫能源控股有限公司召开新品发布会,发布了其第二代类单晶硅片产品“鑫单晶G2”,并宣布其进入商业化量产。根据多家客户提供的测试数据,相较于其2011年发布的第一代类单晶产品,“鑫单晶G2”平均光电转换效率提升了1.1%,硅片性能取得大幅度提升,可用于制备280/335瓦(60/72PCS)以上的电池组件。

相较于以传统直拉法制得的单晶产品,这次发布的“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益,光衰平均低1%,同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点,是单晶铸锭技术取得的最新产品突破,进一步丰富了保利协鑫对组件、系统的技术解决方案。

保利协鑫执行总裁舒桦先生表示:“保利协鑫高效硅片中的类单晶产品依靠其显著的竞争优势,顺应并引领了市场发展的需要,已成为具有相当影响力的硅片品类,并将逐渐成为单晶产品的主流。‘鑫单晶G2’依托保利协鑫的技术储备和市场推广力量,将为客户提供更高的价值增值。未来,保利协鑫将持续为客户提供最具价值的产品和服务,并将与合作伙伴一起,为全球光伏产业和绿色能源事业的进步而不懈努力。”


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