DAS-PM2S9B

DAS-PM2S9B

一道新能源科技(衢州)有限公司
电池片类型: 单晶硅
功率范围: 5.2~5.47 Wp
地区: 中国大陆 中国大陆
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替代产品

M182B10B

无锡施莱德新能源有限公司
起价 ¥0.326 / Wp *
  • 峰值功率: 7.66 W
  • 电池片类型: 双面
  • 尺寸: 182x182 mm
  • 对角线: 247±0.5 mm
  • 电池片厚度: 170 µm

产品特点

产品型号
DAS-PM2S9B 5.2 DAS-PM2S9B 5.23 DAS-PM2S9B 5.25 DAS-PM2S9B 5.28 DAS-PM2S9B 5.3 DAS-PM2S9B 5.33 DAS-PM2S9B 5.35 DAS-PM2S9B 5.38 DAS-PM2S9B 5.4 DAS-PM2S9B 5.42 DAS-PM2S9B 5.45 DAS-PM2S9B 5.47
产品特点  
电池片技术 单晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
对角线 210±0.25 mm
电池片厚度 180 ± 20 µm
正面 (-)  
栅线宽度 0.06±0.01 mm
栅线材料
减反射膜 氮化硅
背面 (+)  
焊垫宽 1.67±0.1 mm
焊垫材料
背面电场 (BSF)
电性能参数(STC)  
峰值功率 (Pmax)
5.2 W 5.23 W 5.25 W 5.28 W 5.3 W 5.33 W 5.35 W 5.38 W 5.4 W 5.42 W 5.45 W 5.47 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.563 V 0.564 V 0.565 V 0.567 V 0.569 V 0.571 V 0.572 V 0.573 V 0.574 V 0.575 V 0.576 V 0.575 V
峰值工作电流 (Impp)
9.261 A 9.291 A 9.319 A 9.343 A 9.364 A 9.372 A 9.383 A 9.411 A 9.435 A 9.457 A 9.481 A 9.421 A
开路电压 (Voc)
0.666 V 0.667 V 0.668 V 0.669 V 0.67 V 0.671 V 0.672 V 0.673 V 0.674 V 0.675 V 0.676 V 0.677 V
短路电流 (Isc)
9.771 A 9.877 A 9.806 A 9.83 A 9.844 A 9.865 A 9.87 A 9.889 A 9.903 A 9.919 A 9.929 A 9.94 A
电池片效率
21.3 % 21.4 % 21.5 % 21.6 % 21.7 % 21.8 % 21.9 % 22 % 22.1 % 22.2 % 22.3 % 22.4 %
填充因子 (FF)
80.09 % 80.26 % 80.44 % 80.6 % 80.76 % 80.83 % 80.92 % 81.03 % 81.14 % 81.22 % 81.36 % 81.49 %
温度特性  
温度系数(Pmax) -0.38 %/˚C
温度系数(Voc) -0.31 %/˚C
温度系数(Isc) 0.048 %/˚C
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一道新能源科技(衢州)有限公司

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中国大陆
324000 浙江省衢州市衢江区绿色产业集聚区百灵南路43号
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