5'' Mono

統懋半導體股份有限公司

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82.18 ~ 88.62 %

24.0 ~ 25.5 %

TOPCon

7.92 ~ 8.39 Wp

182x182 mm

130 µm

0.03±0.015 mm

0.03±0.015 mm

75.52 - 78.07 %

电池片效率

17 - 18.69 %

2.64 - 2.87 Wp

125×125 mm

电池片厚度

190 ± 30 µm

62 mm

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产品信息
公司档案页

产品特点

产品型号

5L 170

5L 171

5L 172

5L 173

5L 174

5L 175

5L 176

5L 177

5L 178

5L 179

5L180

5L 181

5L 182

5L 183

5L 184

5L 185

5L 186

电池片技术

单晶硅

尺寸

125×125 mm

对角线

165±1 mm

电池片厚度

190 ± 30 µm

栅线数

栅线宽度

62 mm

减反射膜

氮化硅

焊垫数

峰值功率 (Pmax)

2.64 W

2.65 W

2.66 W

2.68 W

2.7 W

2.72 W

2.73 W

2.75 W

2.77 W

2.78 W

2.8 W

2.81 W

2.82 W

2.83 W

2.85 W

2.86 W

2.87 W

峰值工作电压 (Vmpp)

0.514 V

0.515 V

0.516 V

0.517 V

0.519 V

0.52 V

0.523 V

0.524 V

0.525 V

0.526 V

0.527 V

0.528 V

峰值工作电流 (Impp)

5.13 A

5.15 A

5.16 A

5.18 A

5.2 A

5.24 A

5.25 A

5.26 A

5.29 A

5.3 A

5.33 A

5.35 A

5.37 A

5.39 A

5.41 A

5.43 A

5.45 A

开路电压 (Voc)

0.628 V

0.629 V

0.63 V

0.631 V

0.632 V

0.633 V

0.634 V

0.636 V

0.638 V

短路电流 (Isc)

5.56 A

5.57 A

5.58 A

5.59 A

5.6 A

5.63 A

5.66 A

5.69 A

5.71 A

5.72 A

5.73 A

5.75 A

5.76 A

5.79 A

5.8 A

电池片效率

17-17.09 %

17.1-17.19 %

17.2-17.29 %

17.3-17.39 %

17.4-17.49 %

17.5-17.59 %

17.6-17.69 %

17.7-17.79 %

17.8-17.89 %

17.9-17.99 %

18-18.09 %

18.1-18.19 %

18.2-18.29 %

18.3-18.39 %

18.4-18.49 %

18.5-18.59 %

18.6-18.69 %

填充因子 (FF)

75.52 %

75.82 %

75.98 %

76.17 %

76.5 %

76.67 %

76.56 %

76.62 %

76.81 %

77.1 %

77.28 %

77.57 %

77.75 %

77.77 %

78.07 %

77.71 %

77.76 %

温度系数（Pmax）

-0.45 %/˚C

温度系数（Voc）

-0.44 %/˚C

温度系数（Isc）

-0.044 %/˚C

光强相关性

光强

开路电压

峰值电压

1000 W/m²

800 W/m²

0.989

500 W/m²

0.968

300 W/m²

0.946

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数据表

統懋半導體股份有限公司

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: 中国台湾
: 台南市新市鄉中山路76號

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