6'' Mono

統懋半導體股份有限公司

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82.18 ~ 88.62 %

24.0 ~ 25.5 %

TOPCon

7.92 ~ 8.39 Wp

182x182 mm

130 µm

0.03±0.015 mm

0.03±0.015 mm

74.9 - 77.13 %

电池片效率

17 - 18.49 %

4.07 - 4.4 Wp

156×156 mm

电池片厚度

180 ± 30 µm

75 mm

75 mm

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产品信息
公司档案页

产品特点

产品型号

6S 170

6S 171

6S 172

6S 173

6S 174

6S 175

6S 176

6S 177

6S 178

6S 179

6S 180

6S 181

6S 182

6S 183

6S 184

电池片技术

单晶硅

尺寸

156×156 mm

对角线

200±1 mm

电池片厚度

180 ± 30 µm

栅线数

栅线宽度

75 mm

减反射膜

氮化硅

焊垫数

焊垫宽

75 mm

峰值功率 (Pmax)

4.07 W

4.09 W

4.11 W

4.14 W

4.17 W

4.19 W

4.21 W

4.24 W

4.26 W

4.28 W

4.31 W

4.33 W

4.35 W

4.38 W

4.4 W

峰值工作电压 (Vmpp)

0.506 V

0.507 V

0.508 V

0.509 V

0.511 V

0.512 V

0.513 V

0.515 V

0.516 V

0.517 V

0.519 V

0.52 V

0.521 V

0.522 V

0.523 V

峰值工作电流 (Impp)

8.04 A

8.06 A

8.1 A

8.14 A

8.16 A

8.18 A

8.21 A

8.23 A

8.25 A

8.28 A

8.31 A

8.32 A

8.35 A

8.39 A

8.42 A

开路电压 (Voc)

0.62 V

0.621 V

0.622 V

0.623 V

0.624 V

0.625 V

0.626 V

0.627 V

0.628 V

0.629 V

0.63 V

0.631 V

0.632 V

0.633 V

短路电流 (Isc)

8.76 A

8.77 A

8.78 A

8.8 A

8.82 A

8.84 A

8.86 A

8.88 A

8.89 A

8.9 A

8.92 A

8.93 A

8.96 A

8.99 A

9.02 A

电池片效率

17-17.09 %

17.1-17.19 %

17.2-17.29 %

17.3-17.39 %

17.4-17.49 %

17.5-17.59 %

17.6-17.69 %

17.7-17.79 %

17.8-17.89 %

17.9-17.99 %

18-18.09 %

18.1-18.19 %

18.2-18.29 %

18.3-18.39 %

18.4-18.49 %

填充因子 (FF)

74.9 %

75.03 %

75.35 %

75.57 %

75.76 %

75.8 %

75.94 %

76.12 %

76.25 %

76.59 %

76.87 %

76.9 %

76.95 %

77.08 %

77.13 %

温度系数（Pmax）

-0.45 %/˚C

温度系数（Voc）

-0.35 %/˚C

温度系数（Isc）

0.04 %/˚C

光强相关性

光强

开路电压

峰值电压

1000 W/m²

800 W/m²

0.989

500 W/m²

0.968

300 W/m²

0.946

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数据表

統懋半導體股份有限公司

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: 中国台湾
: 台南市新市鄉中山路76號

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