Mono 2 Bus Bars

中美矽晶製品股份有限公司
填充因子
填充因子
78.11 - 78.9 %
电池片效率
电池片效率
18.2 - 19.3 %
电 池 技 术
技术
单晶硅
功率范围
功率范围
4.36 - 4.6 Wp
地区
地区
中国台湾 中国台湾
组件尺寸
尺寸
156×156 mm
电池片厚度
电池片厚度
200 ± 30 µm
栅线数
栅线数
2
联系生产商
该产品不再生产。

产品特点

产品型号
mono 2 bars 4.36 mono 2 bars 4.38 mono 2 bars 4.41 mono 2 bars 4.43 mono 2 bars 4.46 mono 2 bars 4.48 mono 2 bars 4.50 mono 2 bars 4.53 mono 2 bars 4.55 mono 2 bars 4.58 mono 2 bars 4.60
电池片技术 单晶硅
尺寸 156×156 mm
对角线 200±0.5 mm
电池片厚度 200 ± 30 µm
 
栅线数 2
 
峰值功率 (Pmax)
4.36 W 4.38 W 4.41 W 4.43 W 4.46 W 4.48 W 4.5 W 4.53 W 4.55 W 4.58 W 4.6 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.531 V 0.532 V 0.533 V 0.534 V 0.535 V 0.536 V 0.537 V 0.538 V 0.539 V 0.54 V 0.541 V
峰值工作电流 (Impp)
8.213 A 8.242 A 8.271 A 8.301 A 8.33 A 8.359 A 8.388 A 8.417 A 8.445 A 8.474 A 8.502 A
开路电压 (Voc)
0.633 V 0.634 V 0.635 V 0.636 V 0.637 V 0.638 V 0.639 V 0.64 V 0.6405 V 0.641 V 0.642 V
短路电流 (Isc)
8.82 A 8.84 A 8.86 A 8.88 A 8.9 A 8.93 A 8.96 A 8.99 A 9.02 A 9.05 A 9.08 A
电池片效率
18.2-18.3 % 18.3-18.4 % 18.4-18.5 % 18.5-18.6 % 18.6-18.7 % 18.7-18.8 % 18.8-18.9 % 18.9-19 % 19-19.1 % 19.1-19.2 % 19.2-19.3 %
填充因子 (FF)
78.11 % 78.24 % 78.36 % 78.49 % 78.61 % 78.64 % 78.67 % 78.7 % 78.79 % 78.88 % 78.9 %
 
温度系数(Pmax) -0.408 %/˚C
温度系数(Voc) -0.3251 %/˚C
温度系数(Isc) 0.0484 %/˚C
 
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中国台湾
新竹市新竹科學園區工業東二路八號
该产品不再生产。

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