DMTD4B157-210

横店集团东磁股份有限公司
填充因子
填充因子
79.8 - 80.2 %
电池片效率
电池片效率
19.6 - 20.4 %
电 池 技 术
技术
单晶硅
功率范围
功率范围
4.79 - 4.98 Wp
地区
地区
中国大陆 中国大陆
组件尺寸
尺寸
156.75×156.75 mm
电池片厚度
电池片厚度
220 ± 20 µm
栅线数
栅线数
4
栅线宽度
栅线宽度
1.1 mm
焊垫数
焊垫数
4
焊垫宽
焊垫宽
1.7 mm
焊垫材料
焊垫材料
联系生产商
该产品不再生产。

产品特点

产品型号
DMTD4B157-210 4.79 DMTD4B157-210 4.81 DMTD4B157-210 4.84 DMTD4B157-210 4.86 DMTD4B157-210 4.89 DMTD4B157-210 4.91 DMTD4B157-210 4.94 DMTD4B157-210 4.96 DMTD4B157-210 4.98
电池片技术 单晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
对角线 210±0.5 mm
电池片厚度 220 ± 20 µm
 
栅线数 4
栅线宽度 1.1 mm
栅线材料
减反射膜 氮化硅
 
焊垫数 4
焊垫宽 1.7 mm
焊垫材料
背面电场 (BSF)
 
峰值功率 (Pmax)
4.79 W 4.81 W 4.84 W 4.86 W 4.89 W 4.91 W 4.94 W 4.96 W 4.98 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.54 V 0.541 V 0.541 V 0.542 V 0.542 V 0.543 V 0.543 V 0.544 V 0.544 V
峰值工作电流 (Impp)
8.87 A 8.891 A 8.946 A 8.967 A 9.022 A 9.042 A 9.088 A 9.118 A 9.154 A
开路电压 (Voc)
0.64 V 0.641 V 0.641 V 0.642 V 0.642 V 0.643 V 0.643 V 0.644 V 0.644 V
短路电流 (Isc)
9.379 A 9.403 A 9.45 A 9.474 A 9.521 A 9.545 A 9.591 A 9.615 A 9.642 A
电池片效率
19.6-19.7 % 19.7-19.8 % 19.8-19.9 % 19.9-20 % 20-20.1 % 20.1-20.2 % 20.2-20.3 % 20.3-20.4 % 20.4 %
填充因子 (FF)
79.8 % 79.8 % 79.9 % 79.91 % 80 % 80 % 80.02 % 80.11 % 80.2 %
 
温度系数(Pmax) -0.42 %/˚C
温度系数(Voc) -0.32 %/˚C
温度系数(Isc) 0.043 %/˚C
光强相关性
光强
开路电压
峰值电压
1000 W/m2
1
--
800 W/m2
0.991
--
600 W/m2
0.9784
--
400 W/m2
0.9622
--
200 W/m2
0.9332
--
 
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该产品不再生产。