DMTP4B157x157

横店集团东磁股份有限公司
填充因子
填充因子
79.39 - 80.1 %
电池片效率
电池片效率
17.8 - 18.7 %
电 池 技 术
技术
多晶硅
功率范围
功率范围
4.37 - 4.6 Wp
地区
地区
中国大陆 中国大陆
组件尺寸
尺寸
156.75×156.75 mm
电池片厚度
电池片厚度
220 ± 20 µm
栅线数
栅线数
4
栅线宽度
栅线宽度
1.1 mm
焊垫数
焊垫数
4
焊垫宽
焊垫宽
2.1 mm
焊垫材料
焊垫材料
联系生产商
该产品不再生产。

产品特点

产品型号
DMTP4B157x157 4.37 DMTP4B157x157 4.4 DMTP4B157x157 4.42 DMTP4B157x157 4.45 DMTP4B157x157 4.47 DMTP4B157x157 4.5 DMTP4B157x157 4.52 DMTP4B157x157 4.55 DMTP4B157x157 4.57 DMTP4B157x157 4.6
电池片技术 多晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
对角线 220.2±0.5 mm
电池片厚度 220 ± 20 µm
 
栅线数 4
栅线宽度 1.1 mm
栅线材料
减反射膜 氮化硅
 
焊垫数 4
焊垫宽 2.1 mm
焊垫材料
背面电场 (BSF)
 
峰值功率 (Pmax)
4.37 W 4.4 W 4.42 W 4.45 W 4.47 W 4.5 W 4.52 W 4.55 W 4.57 W 4.6 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.532 V 0.534 V 0.535 V 0.536 V 0.538 V 0.539 V 0.54 V 0.541 V 0.542 V 0.543 V
峰值工作电流 (Impp)
8.214 A 8.239 A 8.262 A 8.302 A 8.309 A 8.349 A 8.37 A 8.41 A 8.432 A 8.471 A
开路电压 (Voc)
0.63 V 0.632 V 0.633 V 0.634 V 0.635 V 0.636 V 0.637 V 0.639 V 0.64 V 0.641 V
短路电流 (Isc)
8.736 A 8.762 A 8.796 A 8.818 A 8.848 A 8.876 A 8.898 A 8.91 A 8.936 A 8.959 A
电池片效率
17.8-17.9 % 17.9-18 % 18-18.1 % 18.1-18.2 % 18.2-18.3 % 18.3-18.4 % 18.4-18.5 % 18.5-18.6 % 18.6-18.7 % 18.7 %
填充因子 (FF)
79.4 % 79.45 % 79.39 % 79.6 % 79.56 % 79.72 % 79.74 % 79.91 % 79.91 % 80.1 %
 
温度系数(Pmax) -0.403 %/˚C
温度系数(Voc) -0.308 %/˚C
温度系数(Isc) 0.057 %/˚C
光强相关性
光强
开路电压
峰值电压
1000 W/m2
1
--
800 W/m2
0.99
--
600 W/m2
0.977
--
400 W/m2
0.9596
--
200 W/m2
0.9283
--
 
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该产品不再生产。