NANO-PPV74-01

Nanofold India
填充因子
填充因子
77.53 - 80.01 %
电池片效率
电池片效率
17.4 - 18.8 %
电 池 技 术
技术
多晶硅
功率范围
功率范围
4.23 - 4.58 Wp
地区
地区
印度 印度
组件尺寸
尺寸
156.75×156.75 mm
电池片厚度
电池片厚度
200 ± 20 µm
栅线数
栅线数
4
栅线宽度
栅线宽度
1.1 mm
焊垫宽
焊垫宽
1.8 mm
焊垫材料
焊垫材料
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产品特点

产品型号
17.4 17.6 17.8 18.0 18.2 18.3 18.4 18.5 18.6 18.7 18.8
电池片技术 多晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
对角线 220.3±0.5 mm
电池片厚度 200 ± 20 µm
 
栅线数 4
栅线宽度 1.1 mm
栅线材料
减反射膜 氮化硅
 
焊垫宽 1.8 mm
焊垫材料
 
峰值功率 (Pmax)
4.23 W 4.28 W 4.33 W 4.38 W 4.43 W 4.45 W 4.48 W 4.5 W 4.53 W 4.55 W 4.58 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.516 V 0.52 V 0.525 V 0.53 V 0.532 V 0.532 V 0.534 V 0.536 V 0.538 V 0.54 V 0.542 V
峰值工作电流 (Impp)
8.2 A 8.24 A 8.25 A 8.3 A 8.33 A 8.35 A 8.37 A 8.39 A 8.4 A 8.42 A 8.44 A
开路电压 (Voc)
0.623 V 0.625 V 0.627 V 0.63 V 0.63 V 0.631 V 0.632 V 0.633 V 0.634 V 0.635 V 0.636 V
短路电流 (Isc)
8.76 A 8.78 A 8.81 A 8.84 A 8.89 A 8.92 A 8.94 A 8.96 A 8.97 A 8.98 A 8.99 A
电池片效率
17.4 % 17.6 % 17.8 % 18.0 % 18.2 % 18.3 % 18.4 % 18.5 % 18.6 % 18.7 % 18.8 %
填充因子 (FF)
77.53 % 78.08 % 78.41 % 78.99 % 79.13 % 78.92 % 79.11 % 79.29 % 79.47 % 79.74 % 80.01 %
 
温度系数(Pmax) -0.41 %/˚C
温度系数(Voc) -0.33 %/˚C
温度系数(Isc) 0.06 %/˚C
光强相关性
光强
开路电压
峰值电压
1000 W/m2
--
1.0

Nanofold India

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nanofold.net/
印度
3, Bellary Road, Opp. White Petals Palace, RMV Extension, Sadashivanagar, Bangalore, Karnataka, 560080
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