PE-SiS-M157-5B

寶捷電子有限公司
填充因子
填充因子
81.11 - 81.64 %
电池片效率
电池片效率
21.2 - 22.4 %
电 池 技 术
技术
单晶硅
功率范围
功率范围
5.18 - 5.45 Wp
地区
地区
中国香港 中国香港
组件尺寸
尺寸
156.75×156.75 mm
电池片厚度
电池片厚度
190 ± 20 µm
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注意: 您的询盘将直接发送至寶捷電子有限公司

产品特点

产品型号
5.18 5.2 5.23 5.25 5.28 5.3 5.33 5.35 5.37 5.4 5.42 5.45
电池片技术 单晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
电池片厚度 190 ± 20 µm
 
减反射膜 氮化硅
 
峰值功率 (Pmax)
5.18 W 5.2 W 5.23 W 5.25 W 5.28 W 5.3 W 5.33 W 5.35 W 5.37 W 5.4 W 5.42 W 5.45 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.568 V 0.569 V 0.571 V 0.572 V 0.575 V 0.576 V 0.577 V 0.578 V 0.578 V 0.579 V 0.579 V 0.581 V
峰值工作电流 (Impp)
9.121 A 9.149 A 9.157 A 9.181 A 9.186 A 9.201 A 9.232 A 9.258 A 9.3 A 9.326 A 9.368 A 9.378 A
开路电压 (Voc)
0.6651 V 0.6657 V 0.666 V 0.6674 V 0.6702 V 0.6715 V 0.672 V 0.673 V 0.6739 V 0.6751 V 0.677 V 0.679 V
短路电流 (Isc)
9.601 A 9.611 A 9.633 A 9.657 A 9.661 A 9.675 A 9.715 A 9.742 A 9.771 A 9.798 A 9.813 A 9.829 A
电池片效率
21.2-21.3 % 21.3-21.4 % 21.4-21.5 % 21.5-21.6 % 21.6-21.7 % 21.7-21.8 % 21.8-21.9 % 21.9-22 % 22-22.1 % 22.1-22.2 % 22.2-22.3 % 22.3-22.4 %
填充因子 (FF)
81.11 % 81.33 % 81.5 % 81.51 % 81.55 % 81.58 % 81.59 % 81.62 % 81.63 % 81.63 % 81.64 % 81.64 %
 
温度系数(Pmax) -0.42 %/˚C
温度系数(Voc) -0.32 %/˚C
温度系数(Isc) 0.04 %/˚C
光强相关性
光强
开路电压
峰值电压
1000 W/m2
1
1
 
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