RH954TDGDC 410-430W Full Black

RH954TDGDC 410-430W Full Black

浙江润海新能源有限公司
类型: 双面,TOPCon
功率范围: 410 ~ 430 Wp
地区: 中国大陆 中国大陆
联系生产商
注意: 您的询盘将直接发送至浙江润海新能源有限公司

替代产品

UL-610-620M-14...

宁波尤利卡太阳能股份有限公司
起价 ¥0.904 / Wp *
  • 电池片类型: 双面,TOPCon
  • 组件尺寸: 2382x1134x30 mm
  • 重量: 33.6 kg
  • 电池片规格: 182.2×95.8 mm
  • 玻璃厚度: 2 mm

产品特点

产品型号
410 415 420 425 430
质量保证  
产品质量保证 12 年
功率输出保证 30年期87.4%输出功率保证
电性能参数(STC)  
峰值功率 (Pmax)
410 Wp 415 Wp 420 Wp 425 Wp 430 Wp
峰值工作电压(Vmpp)
31.28 V 31.49 V 31.7 V 31.91 V 32.12 V
峰值工作电流(Impp)
13.11 A 13.18 A 13.25 A 13.32 A 13.39 A
开路电压(Voc)
37.9 V 38.11 V 38.32 V 38.53 V 38.74 V
短路电流(Isc)
13.84 A 13.92 A 14 A 14.08 A 14.16 A
组件效率
21 % 21.25 % 21.51 % 21.77 % 22.02 %
功率偏差(正)
+ 3 % + 3 % + 3 % + 3 % + 3 %
  标准测试条件(STC):太阳能辐射通量1000W/m2,大气参数1.5,组件温度25℃。
温度特性  
工作温度 -40~85 °C
温度系数(Pmax) -0.3 %/°C
温度系数(Voc) -0.25 %/°C
温度系数(Isc) 0.46 %/°C
系统集成参数  
最大系统电压 1500 V
保险丝额定电流 30 A
物理参数  
组件尺寸(高/宽/厚) 1722x1134x30 mm
重量 24.5 kg
电池片类型 双面,TOPCon
电池片数量 108
边框类型 阳极氧化铝
旁路二极管数 3
接线盒防护等级 IP 68
电缆截面 4 mm2
电缆长度 1200 mm
PDF  
下载公司产品详情

浙江润海新能源有限公司

+86 57182625159
www.runhaine.com
中国大陆
浙江省舟山市定海区高新技术产业园区大成四路
员工数: 1,000
注意: 您的询盘将直接发送至浙江润海新能源有限公司

晶体硅

产量 (MW)/: MWp
单晶硅
功 率 范 围(Wp): 410-700
公司描述

润海光能是一家以“异质结产业化引领者”为目标的新能源企业。两基地5个项目“30GW电池,30GW组件”分期建设,首期为3.5GW电池4.5GW组件,占地211亩,3.5GW电池是建成国内单体最大异质结太阳能项目。

电池端全部为异质结电池片,“兼容各位尺寸”;组件端采用柔性智能制造方式,“可兼容各种尺寸电池,各种版型组件”(PERC,TOPCON,HJT)。

其他办事处

国家:
中国大陆
电话:
0086-571-82625159
电子邮件:
emma@runhaine.com
地址:
44th Floor LANJUE Office Building, Jingji Road, Xiaoshan, Hangzhou,

来自浙江润海新能源有限公司的其他11个系列产品‎

  • RH972MDGDC 54...
    540~560 Wp 双面,背钝化 (PERC)
  • RH972TDGDC 56...
    560~580 Wp 双面,TOPCon
  • RHA66HDGDC 68...
    680~700 Wp 双面,异质结 (HJT)
  • RH954M(HV)C 3...
    395~415 Wp 背钝化 (PERC),单晶硅
  • RH954TDGDC 41...
    410~430 Wp 双面,TOPCon
  • RH972M(HV)C 5...
    540~560 Wp 背钝化 (PERC),单晶硅
  • RHA60MDGDC 59...
    590~610 Wp 双面,背钝化 (PERC)
  • RH978TDGDC 60...
    605~625 Wp 双面,TOPCon
  • RHA60HDGDC 62...
    620~640 Wp 双面,异质结 (HJT)
  • RHA66MDGDC 64...
    645~665 Wp 双面,背钝化 (PERC)
  • RHA66M(HV)C 6...
    650~670 Wp 背钝化 (PERC),单晶硅