TSM65TN (3Pads)

元晶太陽能科技股份有限公司
填充因子
79.63 - 80.37 %
电池片效率
19.20 - 20.80 %
技术
多晶硅
功率范围
4.72 - 5.11 Wp
地区
中国台湾 中国台湾
尺寸
156.75×156.75 mm
电池片厚度
180/200 ± 20 µm
栅线数
5
栅线宽度
0.7±0.1 mm
焊垫数
5
焊垫宽
2±0.15 mm
联系生产商
该产品不再生产。

产品特点

产品型号
192 196 198 200 202 203 204 205 206 207 208
电池片技术 多晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
电池片厚度 180/200 ± 20 µm
 
栅线数 5
栅线宽度 0.7±0.1 mm
减反射膜 氮化硅
 
焊垫数 5
焊垫宽 2±0.15 mm
背面电场 (BSF)
 
峰值功率 (Pmax)
4.72 W 4.82 W 4.87 W 4.91 W 4.96 W 4.99 W 5.01 W 5.04 W 5.06 W 5.09 W 5.11 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.528 V 0.539 V 0.544 V 0.547 V 0.552 V 0.554 V 0.555 V 0.557 V 0.559 V 0.561 V 0.563 V
峰值工作电流 (Impp)
8.937 A 8.941 A 8.942 A 8.98 A 8.996 A 9.01 A 9.024 A 9.039 A 9.05 A 9.061 A 9.072 A
开路电压 (Voc)
0.632 V 0.639 V 0.647 V 0.651 V 0.656 V 0.657 V 0.659 V 0.66 V 0.662 V 0.664 V 0.665 V
短路电流 (Isc)
9.327 A 9.436 A 9.439 A 9.476 A 9.491 A 9.504 A 9.517 A 9.531 A 9.541 A 9.55 A 9.557 A
电池片效率
19.20 % 19.60 % 19.80 % 20.00 % 20.20 % 20.30 % 20.40 % 20.50 % 20.60 % 20.70 % 20.80 %
填充因子 (FF)
80.05 % 79.93 % 79.65 % 79.63 % 79.76 % 79.94 % 79.86 % 80.04 % 80.1 % 80.16 % 80.37 %
 
温度系数(Pmax) -0.37 %/˚C
温度系数(Voc) -0.3 %/˚C
温度系数(Isc) 0.05 %/˚C
 
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元晶太陽能科技股份有限公司

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中国台湾
23143 新北市新店區北新路三段225號8樓
该产品不再生产。

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