DAS-PM2S5B

一道新能源科技股份有限公司
填充因子
填充因子
80.03 - 81.19 %
电池片效率
电池片效率
21.3 - 22.3 %
电 池 技 术
技术
单晶硅
功率范围
功率范围
5.2 - 5.45 Wp
地区
地区
中国大陆 中国大陆
组件尺寸
尺寸
156.75×156.75 mm
电池片厚度
电池片厚度
180 ± 20 µm
栅线数
栅线数
5
栅线宽度
栅线宽度
0.7±0.1 mm
焊垫数
焊垫数
5
焊垫宽
焊垫宽
2±0.1 mm
联系生产商
该产品不再生产。

产品特点

产品型号
DAS-PM2S5B 5.2 DAS-PM2S5B 5.23 DAS-PM2S5B 5.25 DAS-PM2S5B 5.28 DAS-PM2S5B 5.3 DAS-PM2S5B 5.33 DAS-PM2S5B 5.35 DAS-PM2S5B 5.38 DAS-PM2S5B 5.4 DAS-PM2S5B 5.42 DAS-PM2S5B 5.45
电池片技术 单晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
对角线 210±0.25 mm
电池片厚度 180 ± 20 µm
 
栅线数 5
栅线宽度 0.7±0.1 mm
减反射膜 氮化硅
 
焊垫数 5
焊垫宽 2±0.1 mm
背面电场 (BSF)
 
峰值功率 (Pmax)
5.2 W 5.23 W 5.25 W 5.28 W 5.3 W 5.33 W 5.35 W 5.38 W 5.4 W 5.42 W 5.45 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.563 V 0.564 V 0.565 V 0.567 V 0.569 V 0.57 V 0.571 V 0.572 V 0.574 V 0.575 V 0.576 V
峰值工作电流 (Impp)
9.247 A 9.28 A 9.292 A 9.31 A 9.325 A 9.344 A 9.365 A 9.387 A 9.399 A 9.421 A 9.455 A
开路电压 (Voc)
0.668 V 0.669 V 0.67 V 0.671 V 0.672 V 0.673 V 0.674 V 0.675 V 0.676 V 0.677 V 0.678 V
短路电流 (Isc)
9.776 A 9.8 A 9.814 A 9.835 A 9.84 A 9.859 A 9.873 A 9.889 A 9.899 A 9.91 A 9.925 A
电池片效率
21.3 % 21.4 % 21.5 % 21.6 % 21.7 % 21.8 % 21.9 % 22 % 22.1 % 22.2 % 22.3 %
填充因子 (FF)
80.03 % 80.19 % 80.35 % 80.42 % 80.51 % 80.62 % 80.73 % 80.81 % 80.95 % 81.08 % 81.19 %
 
温度系数(Pmax) -0.38 %/˚C
温度系数(Voc) -0.31 %/˚C
温度系数(Isc) 0.048 %/˚C
 
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一道新能源科技股份有限公司

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中国大陆
No.43, South of Bailing Rd, Quzhou, Zhejiang Province, 324000
该产品不再生产。

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