M84-03

Nanofold India
填充因子
填充因子
77.95 - 80.2 %
电池片效率
电池片效率
18.2 - 20 %
电 池 技 术
技术
单晶硅
功率范围
功率范围
4.447 - 4.886 Wp
地区
地区
印度 印度
组件尺寸
尺寸
156.75×156.75 mm
电池片厚度
电池片厚度
200 ± 20 µm
栅线数
栅线数
4
栅线宽度
栅线宽度
1.1 mm
焊垫宽
焊垫宽
1.8 mm
焊垫材料
焊垫材料
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产品特点

产品型号
18.2 18.4 18.6 18.8 19 19.1 19.2 19.3 19.4 19.5 19.6 19.7 19.8 19.9 20
电池片技术 单晶硅
尺寸 156.75×156.75 mm
对角线 210±0.5 mm
电池片厚度 200 ± 20 µm
 
栅线数 4
栅线宽度 1.1 mm
栅线材料
减反射膜 氮化硅
 
焊垫宽 1.8 mm
焊垫材料
 
峰值功率 (Pmax)
4.447 W 4.495 W 4.544 W 4.593 W 4.642 W 4.666 W 4.691 W 4.715 W 4.74 W 4.764 W 4.789 W 4.813 W 4.837 W 4.862 W 4.886 W
峰值工作电压 (Vmpp)
0.53 V 0.533 V 0.537 V 0.541 V 0.545 V 0.546 V 0.547 V 0.548 V 0.549 V 0.549 V 0.549 V 0.549 V 0.548 V 0.549 V 0.549 V
峰值工作电流 (Impp)
8.39 A 8.43 A 8.46 A 8.49 A 8.52 A 8.55 A 8.58 A 8.61 A 8.64 A 8.67 A 8.72 A 8.77 A 8.82 A 8.86 A 8.9 A
开路电压 (Voc)
0.631 V 0.632 V 0.633 V 0.634 V 0.635 V 0.636 V 0.636 V 0.637 V 0.638 V 0.639 V 0.64 V 0.641 V 0.642 V 0.643 V 0.644 V
短路电流 (Isc)
9.04 A 9.09 A 9.12 A 9.16 A 9.2 A 9.23 A 9.25 A 9.28 A 9.3 A 9.33 A 9.35 A 9.38 A 9.41 A 9.44 A 9.46 A
电池片效率
18.2 % 18.4 % 18.6 % 18.8 % 19 % 19.1 % 19.2 % 19.3 % 19.4 % 19.5 % 19.6 % 19.7 % 19.8 % 19.9 % 20 %
填充因子 (FF)
77.95 % 78.21 % 78.69 % 79.09 % 79.48 % 79.52 % 79.78 % 79.82 % 79.94 % 79.84 % 80 % 80.08 % 80.01 % 80.14 % 80.2 %
 
温度系数(Pmax) -0.42 %/˚C
温度系数(Voc) -0.33 %/˚C
温度系数(Isc) 0.05 %/˚C
光强相关性
光强
开路电压
峰值电压
1000 W/m2
1.0
--

Nanofold India

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nanofold.net/
印度
3, Bellary Road, Opp. White Petals Palace, RMV Extension, Sadashivanagar, Bangalore, Karnataka, 560080
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